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 硅碳棒 >> 硅碳棒在不同气氛下的使用
 
产品编号:
11522375816
产品名称:
硅碳棒在不同气氛下的使用
规  格:
产品备注:
产品类别:
硅碳棒
 
   产 品 说 明

早期的硅碳棒产品只有(DB型)一个型号,即粗端型硅碳棒产品,DB硅碳棒产品虽然已得到广泛应用随着时代的变迁广大客户发现了诸多问题。不足之处:

第一,冷端部与发热部单位长度电阻比仅为16.热损失有些偏高。

第二,从形状结构上分析,硅碳棒长期使用,其粗端与发热部的结合不是很牢固,长时间使用后,粗端与发热部有时会产生松动,使接触电阻增大,造成硅碳棒的损坏,使用寿命就会大大的降低,而且耗电量也很大。

   因而我中国硅碳棒研究所历《五砂》十多年攻克不少技术难关,于1983年终于完成了试制等直径硅碳棒填补了我国在硅碳棒产品品种和制作方法上的空白。为我国硅碳棒制作技术的发展做出重大贡献,之后在将等直径硅碳棒推向工业化生产的过程中时而发现冷端发红现象再次给客户带来了不便:

1烧坏硅碳棒卡具,

2、热埙失多,

3、烧坏炉壁,

那时作为我国3大高温元件生产厂家之一嵩山硅碳棒厂,经过了上千次实验通过改进冷端工业的配比方法,终于杜绝了这一问题《1991年获得国家科技成果奖》。

一、硅碳棒电热元件距炉墙壁及加热物体的距离

 元件直径  8  12  14  16  20  25  30
 最小距离  25  38  44  57  68  79  94

1、选用碳化硅电热元件,必须保证元件的发热部长度不大于炉膛的宽度(高度)。

2、在使用元件时应选用合理的表面负荷,选择此负荷应视元件的使用温度和环境气氛而定,详细数

 气氛  炉温  表面符合W/cm2  对元件的影响  解决办法
 氨气  1290  3.8  与sic作用,减少保护膜  露点激活
 co2  1450  3.1  侵蚀碳化硅,影响元件  用石英管保护
 18%co  1500  4.0  无影响  
 20%co  1370  3.8  吸附碳颗粒影响二氧化硅保护膜  
 卤素  704  3.8  侵蚀碳化硅减少保护膜  用石英管保护
 碳氢化合物  1310  3.1  吸附碳粒而致热污染分界的碳沉积造成电气故障  送进充分空气
 氢  1290  3.1  与sic反应减少保护膜  露点激活
 甲烷  1370  3.1  吸附碳颗粒而致污染  
 N  1370  3.1  与sic反应形成氮化硅绝缘层  
 Na  1310  3.8  侵蚀碳化硅  用石英管保护
 So2  1310  3.8  侵蚀碳化硅  用石英管保护
 真空  1204  3.8    
 氧  1310  3.8  碳化硅被氧化  
 水(不同含量)  1090-1370  3.1-3.6  与sic作用生成硅的化合物  

3、元件的电阻是在1050摄氏度(正负50摄氏度)温度下测定的,在安装中应按元件的电阻进行装配。确保每组新棒在±5%之内

4、炉膛两侧的安装孔(耐热绝缘瓷管内径)一般为元件冷端部直径的1.5倍,且两孔同心,孔与孔之间距离不小于元件直径的3倍。元件安装后,应能转动,元件端头之间接线应以软线连接。元件与壁炉、被烧物的距离不小于元件直径的2倍。

5、使用碳化硅电热元件,应配备调压装置,以保证棒在使用中电阻老化之后仍能获得相应的功率。棒因断裂或已老化需更换时,应视棒的老化程度及线路连接方式进行更换,尽可能做到高温阻值匹配,均担负荷,保证使用寿命。

6、新建成或久未使用的窑炉在使用之前,应先采用其它热源或已老化的元件烘干窑炉。

7、元件硬而脆,在搬运验收安装中要轻拿轻放,在干燥通风处保存,以防喷铝处氧化潮解。

8、通过调整加于硅碳棒元件的电力负荷,降低表面负荷密度。如采用较小的负荷和较低的表面负荷密度,窑内温度虽高,也可以保持相当长的寿命,这可通过改变硅碳棒元件的安装支数,或改变元件的规格,以调节发热表面的大小来实现。表面负荷密度与炉膛温度成反比,炉膛温度越高,允许表面负荷密度越小;超负荷使用会引起碳化硅元件过热分解导致发热部表面脱落、烧损。为确保元件寿命,切忌让电热元件在超负荷条件下使用,一般其值控制在6~8W/cm2。

 9、硅碳棒电热元件使用一定时间后,由于电阻值增大,需要提高电压,用以补偿电阻增加的损失,因此需要变压器有一定的电压调节范围;对于连续运行的窑炉和料道,电压调整范围为0.7~2.5V(V是指硅碳棒元件初期使用的电压)。通过增压调节,可以延长碳化硅元件的使用寿命。

10、硅碳棒元件的接线方法,可采用并联、串联、角形、星形以及其它形式的接线方式;但是并联优越于串联,并联可以调节负荷不平衡的因素,而多支串联则加重了不平衡的因素,提高了工作电压。为了延长硅碳棒元件的寿命、保证安全使用,应避免采用多支串联。

点击数:885  录入时间:2015/1/15 【打印此页】 【关闭

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